MEMS加工の実績多数 ウェハー接合装置のご案内

MEMS加工 ウェハー接合装置
AML-AWBシリーズ

MEMSウェハー接合装置はMST, MEMS, Ⅲ-Ⅴ族半導体, ICをはじめとした多様なアプリケーションにマッチングします。MEMS加工において世界的な実績を誇ります。

• 低コスト、省スペース、高スループットのウェハーボンダーです。
• インシチュー（同一反応室内で、加熱、真空引き、ウェハーアライメントが同時に実行可能）がキーワードの優れものです。

MEMS加工 ウェハー接合装置の特徴

• In-situ アライメントは 1μmの精度
• 10mPaの真空度から 2x105Paプロセスガスまで対応
• 印加電圧は 2.5kVまで
• 加熱温度は560℃まで
• 加圧は15kNまで
• 市場をリードする短時間のボンディングサイクル
• タイムと高スループットを実現
• ウエハサイズは 2"- 8"に対応

ラジカルアクティベーションのメリット

• プラズマよりも低いエネルギー値
  プラズマより低いエネルギー値であるため、デバイスへの影響が極めて小さい
• ラジカルを使用しての接合プロセスで従来よりも低い温度での接合が可能
• ラジカルアクティベーションユニットは簡単に取り外しができ、一つのチャンバーで様々な実験が可能

MEMS加工 ウェハー接合装置のテクニカルメリット

• In-situにおける接合温度下でのアライメントにより、信頼性向上、ボンド後のアライメントも高精度
• 高速スループット-加熱時や真空引き時(20分/サイクル以下)にも同時にアライメントを実行
• チャンバー内までウエア間の間隔を保ち、真空中で張り合わせとアライメントをおこないます
• In-situの光学系を通して接合形成状態を観察し、ボンディング直前におけるアライメントを確認できるため、アライメントミスを軽減し高歩留まり
• 最適にストレスを開放するための加熱・冷却制御
• ウエハ間隔を広げられるため異なる厚さのウエハに対応でき、ゲッタープロセスが可能になり、フォーミング・ガスによる還元雰囲気でのプロセスが可能になる
• 片面研磨のウエハのアライメントに対応
• 電流制限方式の陽極接合によりプロセス制御性とデバイス再現性が向上
• 合計8mmの厚さまで重ねたウエハのボンディングが可能
• 薄いSiウエハ（200μm）のハンドリングとボンディング

MEMS加工 ウェハー接合装置関連製品

• MEMS ウェハー接合サービス MEMS製造・開発サポート
• Plan Optik社製 ガラス基板/各種構造基板

MEMS加工 ウェハー接合装置のお問い合わせ

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事業開発担当
TEL:03-3492-7421／FAX:03-3492-2580

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