パワーデバイスIV測定システム
ソリューション例

テクノアルファ株式会社

大電流パルス印加システム

特長

電流波形
図 電流波形

  • 最大電流200A、立上り時間約200μsのパルス電流を印加可能
  • 正弦波・のこぎり波等の波形出力に対応
  • 任意のパルス幅を設定

大電流パルス印加システムブロック図
図 大電流パルス印加システムブロック図

デバイススイッチング特性測定システム

特長

デバイススイッチング特性測定システム
図 デバイススイッチング特性測定システムブロック図

  • 高電圧パルスを印加しパワーデバイスのスイッチング特性を測定
  • 高速高電圧アンプ使用時は、立ち上がり5μS/1kVのパルスを発生
  • 高速高電圧パルス発生器使用時は、立ち上がり5nS/1kVのパルスを発生
  • 専用電流アンプによりデバイスの電流応答を測定

大電流パルス印加システムブロック図
図 電流波形

高電圧デバイス特性評価システム

特長
  • KEITHLEY社製ソースメジャーユニット2657Aを使用し、最大3kVを印加してダイオード、トランジスタの特性を評価
  • KEYSIGHT社製B1500を使用し、最大10kVを印加し半導体パラメータを高精度測定
  • 大気圧または窒素パージ雰囲気で室温~400℃の温度コントロール
  • サンプル観察機能
  • サンプルマッピング機能(オートXYZθステージ)
  • 4端子プローブ
  • 専用IV測定ソフト

高電圧デバイス特性評価システム①
図 システム外観

高電圧デバイス特性評価システム②
図 プローバ機構

簡易プローバ装置

簡易プローバ装置
図 簡易プローバ装置

放電対策プローブピン

特長

デバイススイッチング特性測定システム
図 放電対策プローブピン

  • ブレークダウン電圧(2kV以上)測定用プローブピン
  • ウエハレベルでのダイオード・トランジスタの高電圧印加測定時に、沿面放電を物理的にカット
  • 最小280μm□内にプローブピンを最大4本設置可能
  • 高絶縁プロービング

CV測定冶具 ~基板上のIGBTチップの容量測定に~

特長

基板上のIGBTチップの容量測定

  • チップ形状に合わせてアレンジ
  • 高電圧CV測定(Cies,Coes,Cres)に対応
  • 精度が高い測定、再現性を実現
  • ソケット形状(スプリングPIN)
  • 先端部までの同軸構造
  • 可動部にインターフェースケーブルなし

CV測定冶具②
図 CV測定冶具外観

CV測定冶具①
図 CV測定冶具内部

 

測定ステップ
安定した高電圧CV測定が可能

測定ステップ

パワーデバイスIV測定システムのお問合わせ

パワーデバイスIV測定システムおよび関連製品についてのお問い合わせ・ デモ機でのご評価等のご用命は、下記担当者までお気軽にお問い合わせ下さい。

エレクトロニクスグループ(旧電子材料・機器グループ)
TEL:03-3492-7430
FAX:03-3492-2580

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