水分吸着剤・水分ゲッター剤(乾燥剤)
パーティクルゲッター剤

Alpha Advanced Materials社製水分吸着剤&パーティクルゲッター剤

Alpha Advanced Materials社製水分吸着剤、パーティクルゲッター剤は、高信頼性が要求される光通信、医療向けデバイス・機器、航空・宇宙・軍事用デバイス、MEMS等の民生・ハイエンドアプリケーション製品の信頼性向上に最適な製品です。

以下の3種類の製品を取り揃えております。

自重の約15%の
水分・二酸化炭素を吸着
HiCap2000シリーズ
水分に加えて微粒子を捕捉 GA2000-2
水素・水分を吸着する
超ハイエンド用
H2-3000

HiCap2000 水分吸着剤・水分ゲッター剤(ペーストタイプ)

150~200℃で処理が可能なペースト状の水分吸着材、水分・CO2ゲッター剤(乾燥剤)です。
ディスペンスやスクリーン印刷による塗布が可能。塗布・乾燥処理後は、通常クリーンルームで想定される温度・湿度条件下においては、10時間程度までは吸水スピードが極めて緩やかなため、一般的な水分吸着剤・水分ゲッター剤に要求される厳しい工程管理が不要となり、大量生産への展開も比較的容易に実現します。
光通信デバイス、医療用デバイス、宇宙・航空・軍事用途等での採用が増えております。
なお、HiCap2100はさらに高耐熱性を有する派生商品です。

HiCap2000の特長

  • 自重(熱処理後)の約15%の水分を吸着
  • 通常の使用温度範囲内では、一度吸着した水分は再放出されない(不可逆性)
  • ディスペンスやスクリーン印刷に対応しており、任意の形状・厚みに塗布可能
  • 一般的なゲッター剤と異なり、熱処理直後は吸水速度が極めて遅く、取扱管理が容易
  • 製造日より6ヶ月保管可能(冷蔵保管)
塗布・乾燥処理プロセスの一例
  • スクリーン印刷、ディスペンス等の方法で、パッケージのリッドの裏側に塗布
  • ピーク温度150~170℃程度で30~60分間加熱処理
  • リッドの封止処理

なお、熱処理終了直後から水分の吸着が始まりますが、一般的なクリーンルーム環境では約10時間程度は吸水速度が極めて緩やかなため、面倒な雰囲気管理が不要です。

アプリケーション例

  • 各種光通信デバイス(可変利得等化器、光スイッチ等)
  • ハーメチックシールされたMEMS、MOMEMS等のデバイス(スティッキング防止)
  • 医療関連デバイス
  • 宇宙・軍事・航空等の超高信頼性が要求される高付加価値ハイエンドパッケージ

HiCap2000 アプリケーション例

物性データ

HiCap2000
ペースト色 青または黒
粘度 70~140Kcps@1rpm
(Brookfield DVIII
#51スピンドル)
水分吸着率(乾燥後自重比) 15%以上
250℃でのウェイトロス < 1.5%
処理温度・時間 15~90分@@200℃
または
30~120分@150℃
Tg 約93℃

吸水率

吸水率

熱処理後の水分吸水率(X軸:経過時間(h)、Y軸:吸水率(ゲッター剤の自重に対する%)
JEDECレベル1(85℃/85%の高温高湿環境)

GA2000-2 微粒子(パーティクル)・水分ゲッター剤

自重の約2%の吸水性能を有すると同時に、処理後の表面がタック性を持ちますので、パッケージ内で発生した微粒子も捕捉します。 ペーストタイプですので、ディスペンス、印刷による塗布が可能です。

GA2000-2の特長

  • 米軍Mil規格 883 Method 5011.3をパス
  • 様々な材質の基板・リッドに良好な密着性
  • MEMS、MOEMSパッケージの信頼性向上に最適
PIND(粒子衝撃雑音検出)試験にもパス

MEMS機構部品から発生する微粒子、下請けメーカーでの組立作業時に誤って封止される恐れのある混入物を捕捉し、信頼性の向上に貢献します。

物性データ

ペースト外観 シリコーン系、青色(2液混合後)
粘度(kcps) 40~80@5rpm
水分吸着率(乾燥後自重比) 2%以上
ウェイトロス < 1.7% 250℃
< 0.5% 200℃
処理温度・時間 乾燥 120分@@150℃
活性化 30分@225℃
常用温度域 -55~200℃
絶縁耐圧 470V/25ミクロン(膜厚1.9mm)
イオン不純物 Na+ < 50ppm
K+ < 50ppm
Cl- < 200ppm
Fl- < 50ppm

H2-3000 水素・水分吸着剤・水分ゲッター剤(フィルムタイプ)

GaAsチップ、電波吸収体が使用されているハーメチックパッケージ内で発生する水素・水分を吸着する、超ハイエンド・高付加価値製品向けのフィルム状のゲッター剤です。

H2-3000の特長

  • 水素吸着能力 > 45cm3/g
  • 水分吸着能力 > 自重の5%
  • 24時間以内にパッケージ内の水素レベルは1ppmに
  • -55℃~200℃の広い温度域で使用可能

アプリケーション例

  • GaAsチップが使用されている超ハイエンドハーメチックパッケージ、MEMS・MOMEMS等のハイエンド向けハーメチックパッケージ
  • セラミックPGA
  • その他宇宙、軍事、航空等、極めて高い信頼性が要求されるパッケージ

H2-3000 アプリケーション例

物性データ

製品形状 フィルム(黒色)
保存条件 室温
保存可能期間 12カ月
密度 1.30~1.50g/cc
200℃でのウェイトロス 1.0%以下
CTE 440ppm/℃
イオン不純物 Na+ < 204ppm
N+ < 502ppm
Cl- < 200ppm
Fl- < 50ppm
体積抵抗値@10MHz 1.76×1012Ω-cm
誘電正接 4.14×10-6
誘電率 3.76
絶縁耐圧 1350V

使用方法

  • プライマー(推奨品:Dow Corning DC1204)をリッド並びに水分吸着剤『H2-3000』の接着面に塗布し、乾燥(約4時間)
  • シリコーンRTV(推奨品:Dow Corning RTV3145、灰色)を接着面のいずれかに塗布
  • H2-3000を圧着し、はみ出た余分なシリコーンRTVを拭き取り
  • 25℃/85%の雰囲気でシリコーンRTVを硬化(16時間)
  • 150℃で約16時間加熱し、活性化(真空炉、650Pa以下)
  • 活性化終了直後にリッドシールを行う(活性化後、45分程度で吸水性能の約90%の水分を吸収します。)

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